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规格书 |
BS108 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 250mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 150pF @ 25V |
功率 - 最大 | 350mW |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
包装 | 3TO-92 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 0.25 A |
RDS -于 | 8000@2.8V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 15(Max) ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Ammo Pack |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Ammo |
最大漏源电阻 | 8000@2.8V |
最大漏源电压 | 200 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大功率耗散 | 350 |
最大连续漏极电流 | 0.25 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Formed |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 250mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 1mA |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 350mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 150pF @ 25V |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BS108ZL1GOSCT |
类别 | Small Signal |
配置 | Single |
外形尺寸 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
身高 | 5.33mm |
长度 | 5.2mm |
最大漏源电阻 | 8 Ω |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 0.35 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-92 |
典型输入电容@ VDS | 150 pF V @ 25 |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
宽度 | 4.19mm |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 250 mA |
正向跨导 - 闵 | 0.33 S |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 8 Ohms |
功率耗散 | 0.35 W |
封装/外壳 | TO-92 |
漏源击穿电压 | 200 V |
RoHS | RoHS Compliant |
漏极电流(最大值) | 0.25 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 8 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Small Signal |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 200 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
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