1. BS108ZL1G
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厂商型号

BS108ZL1G 

产品描述

NFET T092 200V 10R TR -LEAD FREE

内部编号

277-BS108ZL1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

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美国费城
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BS108ZL1G产品详细规格

规格书 BS108ZL1G datasheet 规格书
BS108ZL1G datasheet 规格书
BS108
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 250mA
Rds(最大)@ ID,VGS 8 Ohm @ 100mA, 2.8V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 150pF @ 25V
功率 - 最大 350mW
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
包装 3TO-92
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 0.25 A
RDS -于 8000@2.8V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 15(Max) ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Ammo Pack
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Ammo
最大漏源电阻 8000@2.8V
最大漏源电压 200
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-92
最大功率耗散 350
最大连续漏极电流 0.25
引脚数 3
铅形状 Formed
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 250mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 1mA
供应商设备封装 TO-92-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 8 Ohm @ 100mA, 2.8V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 350mW
漏极至源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss ) @ VDS 150pF @ 25V
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BS108ZL1GOSCT
类别 Small Signal
配置 Single
外形尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
身高 5.33mm
长度 5.2mm
最大漏源电阻 8 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.35 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-92
典型输入电容@ VDS 150 pF V @ 25
典型关闭延迟时间 15 ns
宽度 4.19mm
工厂包装数量 2000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 250 mA
正向跨导 - 闵 0.33 S
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 8 Ohms
功率耗散 0.35 W
封装/外壳 TO-92
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant
漏极电流(最大值) 0.25 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 8 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Small Signal
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 200 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No

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